インジウム箔 半導体のシーリングに使用され、その独自の物理的および化学的特性を活用して、シーリングの全体的なパフォーマンスを向上させます。
主な利点は次のとおりです。
- 優れた熱伝導性: インジウム箔は熱伝導率が高いため、半導体デバイスの放熱効率が大幅に向上します。パッケージング時には熱伝導材料として機能し、チップからヒートシンクやケースに熱を効果的に伝達し、過熱による性能低下や損傷を防ぎます。
- 優れた電気伝導性: インジウム箔は優れた電気伝導性を備えているため、半導体チップを外部回路に接続するのに最適な材料です。パッケージングにおいて金線や銅線ボンディングの代わりとなり、安定した電気接続を実現します。
- 低融点と優れた流動性: インジウム箔は融点が約 156.6°C で、溶融によりシール部の微細な隙間を埋めることができ、パッケージのシール性と機械的強度が向上します。
- 優れた可塑性: インジウム箔は延性が非常に高いため、さまざまなチップ サイズやインジウム箔のシーリング設計に合わせて簡単に成形できます。
- 高純度: 高純度インジウム箔には不純物が最小限しか含まれておらず、不純物はデバイスの性能と信頼性に影響を与える可能性があるため、半導体の密封には非常に重要です。
- 環境安定性: インジウム箔は広い温度範囲にわたって安定性を維持するため、さまざまな環境条件での半導体の密封に適しています。
インジウム箔のこれらの特性は、熱管理と電気接続性を向上させるだけでなく、シーリングの全体的な信頼性と長期安定性も向上させます。その結果、インジウム箔は高性能半導体デバイスのシーリングに欠かせない材料となっています。