Как индиевая фольга улучшает характеристики продукта при герметизации полупроводников?

Индиевая фольга используется в герметизации полупроводников для использования его уникальных физических и химических свойств, улучшающих общие характеристики герметизации.

Вот ключевые преимущества:

  1. Отличная теплопроводность: Высокая теплопроводность индиевой фольги значительно повышает эффективность рассеивания тепла полупроводниковых приборов. Во время упаковки он служит термоинтерфейсным материалом, эффективно передавая тепло от чипа к радиатору или корпусу, предотвращая снижение производительности или повреждение из-за перегрева.
  2. Превосходная электропроводность: Превосходная электропроводность индиевой фольги делает ее идеальным материалом для подключения полупроводниковых чипов к внешним цепям. Он может заменить соединение золотой или медной проволоки в упаковке, обеспечивая стабильные электрические соединения.
  3. Низкая температура плавления и хорошие свойства текучести: Индиевая фольга с температурой плавления около 156,6°C может заполнять микроскопические зазоры в запечатывании путем плавления, улучшая герметичность и механическую прочность упаковки.
  4. Хорошая пластичность: Индиевая фольга обладает высокой пластичностью, что позволяет легко придавать ей форму, соответствующую размерам чипов и конструкциям уплотнений из индиевой фольги.
  5. Высокая чистота: Индиевая фольга высокой чистоты содержит минимальное количество примесей, что имеет решающее значение для герметизации полупроводников, поскольку примеси могут повлиять на производительность и надежность устройства.
  6. Экологическая стабильность: Индиевая фольга сохраняет свою стабильность в широком диапазоне температур, что делает ее пригодной для герметизации полупроводников в различных условиях окружающей среды.

Эти характеристики индиевой фольги не только улучшают терморегулирование и электрическую связь, но также повышают общую надежность и долговременную стабильность уплотнения. Следовательно, индиевая фольга стала незаменимым материалом для герметизации высокоэффективных полупроводниковых устройств.