Indium mempamerkan sifat pasif sendiri. Pada suhu bilik biasa, lapisan oksida nipis terbentuk pada permukaan Indium Wire atau Indium Foil, berukuran antara 80-100 Angstrom tebal. Lazimnya, lapisan oksida ini tidak cukup besar untuk menghalang pembasahan indium ke substrat, terutamanya apabila fluks digunakan. Walau bagaimanapun, walaupun tanpa ketiadaan fluks, indium masih boleh membentuk sendi atau permukaan lapisan tanpa kesukaran.
Sekiranya aplikasi memerlukan sambungan bebas oksida dan fluks tidak dapat digunakan, penyingkiran indium oksida boleh dicapai melalui langkah berikut:
- Buang Pencemar Permukaan: Mulakan dengan mengeluarkan sebarang bahan cemar yang kelihatan dari permukaan wayar atau kerajang indium. Anda boleh menggunakan berus atau kain lembut untuk mengelap habuk, kotoran atau serpihan lain dengan perlahan.
- Pembersihan Pelarut: Sediakan penyelesaian pembersihan menggunakan pelarut lembut yang serasi dengan indium. Isopropil alkohol (IPA) biasanya digunakan untuk tujuan ini. Celupkan kain atau sapu yang bersih dan bebas lin ke dalam pelarut dan lap perlahan-lahan permukaan wayar indium atau kerajang untuk mengeluarkan sebarang bahan cemar yang tertinggal. Pastikan pelarut tersejat sepenuhnya sebelum meneruskan ke langkah seterusnya.
- Pembersihan Asid (jika perlu): Jika permukaan indium sangat teroksida atau tercemar, anda mungkin perlu menggunakan larutan asid untuk membersihkannya dengan berkesan. Asid hidroklorik cair (HCl) atau asid sulfurik (H2SO4) boleh digunakan untuk tujuan ini. Walau bagaimanapun, berhati-hati apabila bekerja dengan asid, dan sentiasa ikuti langkah berjaga-jaga keselamatan yang betul. Goreskan indium dalam 10% HCl selama 1 minit untuk mengeluarkan oksida permukaan, kemudian bilas dengan teliti dengan air suling untuk meneutralkan sebarang baki asid.
- Bilas dengan Air Suling: Bilas indium dalam air DI untuk mengeluarkan asid dan bilas indium dalam isopropil alkohol atau aseton untuk mengeluarkan air. Pastikan pembilasan menyeluruh untuk mengelakkan sebarang agen pembersih yang tinggal daripada mengganggu proses seterusnya.
- Pengeringan: Setelah dibersihkan dan dibilas, tepuk wayar indium atau kerajang dengan berhati-hati dengan kain bersih dan tidak berbulu atau biarkan ia kering dengan nitrogen kering atau biarkan kering di udara. Elakkan menggunakan udara termampat, kerana ia boleh menyebabkan bahan cemar atau merosakkan permukaan indium.
- Jika indium terukir tidak akan digunakan dengan segera, adalah dinasihatkan untuk menyimpannya dalam kotak kering nitrogen. Sebagai alternatif, anda boleh menenggelamkan indium yang terukir dalam aseton bersih untuk melindunginya daripada pendedahan kepada udara.
Walaupun prosedur etsa berkesan menghapuskan oksida, ia juga mendedahkan permukaan baru pada Kerajang Indium atau Kawat Indium, yang menjadi terdedah kepada pengoksidaan. Lazimnya, pengoksidaan bermula dengan segera selepas pendedahan indium yang baru terukir ke udara. Pada mulanya, lapisan oksida mengukur ketebalan sekitar 30-40 Angstrom. Dalam tempoh 2-3 hari pendedahan udara, lapisan oksida mencapai ketebalan pasifnya 80-100 Angstrom.
Adalah penting untuk ambil perhatian bahawa kaedah pembersihan khusus mungkin berbeza-beza bergantung pada tahap pencemaran dan keperluan aplikasi. Sentiasa rujuk kepada cadangan pengilang dan garis panduan keselamatan apabila membersihkan wayar atau kerajang indium.