リン化インジウム

インジウムリン化物（InP）はリンとインジウムの化合物で、優れた半導体特性で知られています。インジウムリン化物基板を使用して製造された半導体デバイスは、高い飽和電子ドリフト速度、低損失光ファイバー通信に適した発光波長、強力な耐放射線性、良好な熱伝導性、高い光電変換効率、および比較的高いバンドギャップ幅を示します。そのため、インジウムリン化物基板は、光モジュールデバイス、センサーデバイス、ハイエンド無線周波数デバイスなどの製造に広く使用されています。

インジウムリン（InP）は、高い飽和電子ドリフト速度、強い放射線耐性、良好な熱伝導性、高い光電変換効率、広いバンドギャップ幅など、いくつかの利点を備えた重要な化合物半導体材料です。InPは、1.34 eVのバンドギャップと室温で3000〜4500 cm2 /（VS）の移動度を持つ閃亜鉛鉱結晶構造を持ちます。光通信、高周波ミリ波デバイス、光電子集積回路、宇宙で使用される太陽電池に広く応用されています。これらの材料特性を考えると、インジウムリン基板で製造された半導体デバイスは、無線周波数デバイス、光学モジュール、LED（ミニLEDとマイクロLEDを含む）、レーザー、検出器、センサー、宇宙用太陽電池の製造に広く利用されています。5G通信、データセンター、次世代ディスプレイ、人工知能、自動運転、ウェアラブルデバイス、航空宇宙などの分野で幅広い用途があります。

インジウムリン半導体材料は、広いバンドギャップ構造を特徴とし、電子はInP材料中を高速で移動します。その結果、インジウムリンチップで作られた衛星信号受信機と増幅器は、100GHzを超える非常に高い周波数で動作でき、広い帯域幅、最小限の外部干渉、高い安定性を備えています。したがって、インジウムリンはガリウムヒ素よりも高度な半導体材料であり、衛星通信産業をより高い周波数帯へと発展させる可能性があります。

ガリウムヒ素（GaAs）と比較して、リン化インジウム（InP）は電気的特性およびその他の物理的特性において顕著な利点を示し、半導体光通信分野で支配的な地位を占めています。 GaAsと比較して、リン化インジウムには次の利点があります。（1）高い電子ピークドリフト速度、広いバンドギャップ幅、および高い熱伝導率を提供します。 InPの直接遷移バンドギャップは1.34 eVで、光通信で伝送損失が最も少ない波長に相当します。熱伝導率はGaAsよりも高く、放熱性が向上します。（2）デバイス製造において、リン化インジウムはGaAsよりも有利です。 InPデバイスは電流のピークツーバレー比が高く、高い変換効率を決定します。 InPの運動量エネルギー緩和時定数はGaAsの半分であるため、動作効率の限界はGaAsデバイスの2倍になります。 InPデバイスはノイズ特性が優れています。 （３）基板材料としてのインジウムリン（InP）の主な用途は、主に光ファイバー通信システムで使用される光源（LED）や検出器（APDアバランシェ光検出器）などの光電子デバイス、次世代40Gb/s通信システム用の光電子集積回路に不可欠なコンポーネントである集積レーザー、光検出器、増幅器などである。