Le phosphure d'indium (InP) est un composé de phosphore et d'indium, réputé pour ses excellentes propriétés semi-conductrices. Les dispositifs semi-conducteurs fabriqués à l'aide de substrats de phosphure d'indium présentent une vitesse de dérive des électrons saturés élevée, des longueurs d'onde d'émission adaptées à la communication par fibre optique à faible perte, une forte résistance aux rayonnements, une bonne conductivité thermique, une efficacité de conversion photoélectrique élevée et une largeur de bande interdite relativement élevée. Par conséquent, les substrats de phosphure d'indium sont largement utilisés dans la fabrication de modules optiques, de capteurs, de dispositifs radiofréquence haut de gamme, etc.
| Nom du produit | Phosphure d'indium, InP |
| Pureté | 99.999% |
| Structure cristalline | Mélange de zinc |
| Point de fusion | 1 062 °C |
| Numéro de cas | 22398-80-7 |
| Masse molaire | 145,792 g/mol |
| Densité | 4,81 g/cm3, solide |
| Intervalle de bande interdite | 1,344 eV |
| Mobilité des électrons | 5400 cm2/(V·s) (300 K) |
| Conductivité thermique | 0,68 W/(cm·K) (300 K) |
Le phosphure d'indium (InP) est un matériau semi-conducteur composé important qui présente plusieurs avantages, notamment une vitesse de dérive des électrons saturés élevée, une forte résistance aux radiations, une bonne conductivité thermique, une efficacité de conversion photoélectrique élevée et une largeur de bande interdite élevée. L'InP a une structure cristalline en blende de zinc avec une bande interdite de 1,34 eV et une mobilité allant de 3000 à 4500 cm2 /(VS) à température ambiante. Il est largement utilisé dans les communications optiques, les dispositifs à ondes millimétriques haute fréquence, les circuits intégrés optoélectroniques et les cellules solaires utilisées dans l'espace. Compte tenu de ces propriétés matérielles, les dispositifs semi-conducteurs fabriqués avec des substrats en phosphure d'indium sont largement utilisés dans la production de dispositifs radiofréquence, de modules optiques, de LED (y compris les mini LED et les micro LED), de lasers, de détecteurs, de capteurs et de cellules solaires spatiales. Ils ont de vastes applications dans des domaines tels que les communications 5G, les centres de données, les écrans de nouvelle génération, l'intelligence artificielle, la conduite autonome, les appareils portables et l'aérospatiale.
Les matériaux semi-conducteurs à base de phosphure d'indium présentent une structure à large bande interdite et les électrons se déplacent à grande vitesse à travers le matériau InP. Par conséquent, les récepteurs et amplificateurs de signaux satellites fabriqués avec des puces à base de phosphure d'indium peuvent fonctionner à des fréquences extrêmement élevées supérieures à 100 GHz, avec une large bande passante, des interférences externes minimales et une grande stabilité. Par conséquent, le phosphure d'indium est un matériau semi-conducteur plus avancé que l'arséniure de gallium, ce qui pourrait inciter l'industrie des communications par satellite à se développer dans des bandes de fréquences plus élevées.
Français Comparé à l'arséniure de gallium (GaAs), le phosphure d'indium (InP) présente des avantages importants en termes de propriétés électriques et autres propriétés physiques, occupant une position dominante dans le domaine de la communication optique des semi-conducteurs. Par rapport au GaAs, le phosphure d'indium présente les avantages suivants : (1) Il offre une vitesse de dérive de pic d'électrons élevée, une largeur de bande interdite élevée et une conductivité thermique élevée. L'InP a une bande interdite de transition directe de 1,34 eV, ce qui correspond à la longueur d'onde avec la plus faible perte de transmission dans la communication optique ; sa conductivité thermique est supérieure à celle du GaAs, ce qui conduit à une meilleure dissipation de la chaleur. (2) Le phosphure d'indium est plus avantageux que le GaAs dans la fabrication de dispositifs. Les dispositifs InP présentent un rapport crête-vallée de courant élevé, déterminant une efficacité de conversion élevée ; la constante de temps de relaxation de l'énergie de moment d'InP est la moitié de celle du GaAs, ce qui conduit à une limite d'efficacité de travail deux fois supérieure à celle des dispositifs GaAs ; les dispositifs InP ont de meilleures caractéristiques de bruit. (3) Le phosphure d'indium (InP) en tant que matériau de substrat a les principales applications suivantes : dispositifs optoélectroniques, y compris les sources lumineuses (LED) et les détecteurs (photodétecteurs à avalanche APD), principalement utilisés dans les systèmes de communication par fibre optique ; les lasers intégrés, les photodétecteurs et les amplificateurs sont des composants essentiels des circuits intégrés optoélectroniques pour les systèmes de communication 40 Gb/s de nouvelle génération.
