อินเดียมออกไซด์

อินเดียมออกไซด์มีสูตรโมเลกุลว่า In2O3 เป็นสารประกอบอินเดียมออกไซด์ มีลักษณะเป็นผงอสัณฐานสีขาวหรือสีเหลืองอ่อนในรูปบริสุทธิ์ ซึ่งจะเปลี่ยนเป็นสีน้ำตาลแดงเมื่อได้รับความร้อน ความดันไอ (mmHg, 25°C) น้อยกว่า 0.01 อินเดียมออกไซด์ไม่ละลายน้ำ แต่ละลายได้ในกรดอนินทรีย์ร้อน

อินเดียมออกไซด์เป็นวัสดุฟังก์ชันเซมิคอนดักเตอร์ชนิด n ชนิดโปร่งใสชนิดใหม่ มีแบนด์แก๊ปกว้าง ความต้านทานไฟฟ้าต่ำ และมีกิจกรรมเร่งปฏิกิริยาสูง อินเดียมออกไซด์ได้รับการนำไปใช้ในอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ เซ็นเซอร์แก๊ส และตัวเร่งปฏิกิริยาอย่างกว้างขวาง เมื่ออนุภาคอินเดียมออกไซด์ไปถึงระดับนาโน พวกมันจะแสดงเอฟเฟกต์พื้นผิว เอฟเฟกต์ขนาดควอนตัม เอฟเฟกต์ขนาดเล็ก และเอฟเฟกต์อุโมงค์ควอนตัมในระดับมหภาค นอกเหนือจากฟังก์ชันที่กล่าวถึงข้างต้น

1. สามารถเผาโลหะอินเดียมที่มีความบริสุทธิ์สูงในอากาศหรือเผาอินเดียมคาร์บอเนตเพื่อผลิต In2O, InO และ In2O3 การควบคุมเงื่อนไขการรีดักชันอย่างละเอียดสามารถให้ผลเป็น In2O3 ที่มีความบริสุทธิ์สูงได้ อีกวิธีหนึ่งคือผลิตผงเซรามิก In2O3 ที่มีขนาดอนุภาคเฉลี่ย 20 นาโนเมตรโดยใช้เทคนิคการเผาไหม้แบบพ่น
2. เมื่อเผาอินเดียมไฮดรอกไซด์เพื่อเตรียม In2O3 หากอุณหภูมิสูงเกินไป อาจทำให้ In2O3 สลายตัวเนื่องจากความร้อนได้ หากอุณหภูมิต่ำเกินไป จะทำให้การคายน้ำออกจนหมดทำได้ยาก และออกไซด์ที่ได้จะดูดความชื้นได้ ดังนั้น อุณหภูมิและเวลาในการให้ความร้อนจึงเป็นปัจจัยสำคัญ นอกจากนี้ เนื่องจาก In2O3 สามารถรีดิวซ์ได้ง่าย จึงต้องรักษาให้คงอยู่ในบรรยากาศออกซิไดซ์บ่อยครั้ง
3. สามารถเผาอินเดียมไฮดรอกไซด์ในอากาศที่อุณหภูมิ 850°C จนได้น้ำหนักคงที่เพื่อสร้าง In2O3 จากนั้นจึงให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 1,000°C เป็นเวลา 30 นาทีในอากาศ สารประกอบอื่นๆ เช่น อินเดียมไนเตรต อินเดียมคาร์บอเนต และอินเดียมซัลเฟต สามารถเผาในอากาศได้เช่นกันเพื่อให้ได้อินเดียมออกไซด์ (In2O3)

1. ใช้เป็นวัสดุสำหรับรีเอเจนต์ระดับสเปกโทรสโคปีและส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
2. นำไปใช้เป็นสารเคลือบป้องกันสำหรับแผ่นสะท้อนแสงโลหะ ฟิล์มบางเซมิคอนดักเตอร์สำหรับจอแสดงผลออปโตอิเล็กทรอนิกส์ และในการผลิตเกลืออินเดียมและแก้ว
3. นอกจากนี้ยังเป็นวัตถุดิบหลักในหน้าจอสัมผัสแบบต้านทาน ซึ่งมักใช้ในหน้าจอเรืองแสง กระจก เซรามิก และสารเคมี
4. นอกจากนี้ ยังถูกนำไปใช้ในสาขาแบบดั้งเดิมอย่างแพร่หลาย เช่น กระจกสี เซรามิก แบตเตอรี่แมงกานีสอัลคาไลน์เป็นสารป้องกันการกัดกร่อนที่ปราศจากปรอท และสารเคมี
5. ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมา มีการใช้กันอย่างแพร่หลายในภาคส่วนเทคโนโลยีขั้นสูง เช่น ออปโตอิเล็กทรอนิกส์และการทหาร โดยเฉพาะอย่างยิ่งเหมาะสำหรับการแปรรูปเป็นเป้าหมายอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) การผลิตอิเล็กโทรดโปร่งใส และวัสดุสำหรับตัวสะท้อนความร้อนโปร่งใสที่ใช้ในการผลิตจอ LCD แบบจอแบน และระบบกำจัดฝ้า/ละลายน้ำแข็ง

ภายใต้สภาวะที่มีไฮโดรเจนหรือตัวรีดิวซ์อื่นๆ การให้ความร้อนถึง 400-500°C สามารถลดอินเดียมออกไซด์ให้เป็นอินเดียมโลหะหรืออินเดียมออกไซด์วาเลนซ์ต่ำกว่าได้

ที่อุณหภูมิสูง มันจะสลายตัวเป็นออกไซด์ที่มีความเข้มข้นต่ำลง นอกจากนี้ มันสามารถทำปฏิกิริยากับอินเดียมโลหะที่อุณหภูมิสูงได้ แม้ว่า In2O3 ที่เกิดขึ้นที่อุณหภูมิต่ำจะละลายได้ในกรด แต่ยิ่งผ่านการบำบัดที่อุณหภูมิสูงอย่างละเอียดมากเท่าไร มันก็จะละลายได้น้อยลงเท่านั้น และความสามารถในการดูดความชื้นของมันก็จะหายไป อินเดียมออกไซด์ (In2O3) เมื่อถูกรีดิวซ์ด้วยไฮโดรเจนที่ความร้อนแดง จะได้อินเดียมโลหะ

เก็บในภาชนะที่ปิดสนิทในที่เย็นและแห้ง จัดให้มีการระบายอากาศหรือระบบระบายอากาศที่ดีในพื้นที่ทำงาน

ได้รับการติดต่อ

ส่งอีเมลถึงเรา

ข้อมูลทั่วไป: [email protected]

ปัญหาทางเทคนิค: [email protected]

โทรหาเราสิ

ข้อมูลทั่วไป: +86 18673173361

ฝ่ายสนับสนุนด้านเทคนิค: +86 17267477981