Indium phosphide (InP) ialah sebatian fosforus dan indium, terkenal dengan sifat semikonduktor yang sangat baik. Peranti semikonduktor yang dihasilkan menggunakan substrat indium fosfida mempamerkan halaju hanyutan elektron tepu yang tinggi, panjang gelombang pelepasan yang sesuai untuk komunikasi gentian optik kehilangan rendah, rintangan sinaran yang kuat, kekonduksian terma yang baik, kecekapan penukaran fotoelektrik yang tinggi, dan lebar celah jalur yang agak tinggi. Akibatnya, substrat indium phosphide digunakan secara meluas dalam pembuatan peranti modul optik, peranti sensor, peranti frekuensi radio mewah, dsb.
| Nama Produk | Indium Phosphide, InP |
| Puriy | 99.999% |
| Struktur Kristal | Campuran zink |
| Takat Lebur | 1,062 °C |
| No. Cas | 22398-80-7 |
| Jisim Molar | 145.792 g/mol |
| Ketumpatan | 4.81 g/cm3, pepejal |
| Jurang Pancaragam | 1.344 eV |
| Mobiliti Elektron | 5400 cm2/(V·s) (300 K) |
| Kekonduksian Terma | 0.68 W/(cm·K) (300 K) |
Indium fosfida (InP) ialah bahan semikonduktor sebatian penting dengan beberapa kelebihan, termasuk halaju hanyutan elektron tepu yang tinggi, rintangan sinaran yang kuat, kekonduksian terma yang baik, kecekapan penukaran fotoelektrik yang tinggi, dan lebar celah jalur yang tinggi. InP mempunyai struktur kristal zink blende dengan celah jalur 1.34 eV dan mobiliti antara 3000 hingga 4500 cm2 /(VS) pada suhu bilik. Ia digunakan secara meluas dalam komunikasi optik, peranti gelombang milimeter frekuensi tinggi, litar bersepadu optoelektronik, dan sel suria yang digunakan di angkasa lepas. Memandangkan sifat bahan ini, peranti semikonduktor yang dihasilkan dengan substrat indium fosfida digunakan secara meluas dalam pengeluaran peranti frekuensi radio, modul optik, LED (termasuk LED Mini dan LED Mikro), laser, pengesan, penderia dan sel suria angkasa. Mereka mempunyai aplikasi yang luas dalam bidang seperti komunikasi 5G, pusat data, paparan generasi akan datang, kecerdasan buatan, pemanduan autonomi, peranti boleh pakai dan aeroangkasa.
Bahan semikonduktor Indium fosfida mempunyai struktur jurang jalur yang luas, dan elektron bergerak pada kelajuan tinggi melalui bahan InP. Akibatnya, penerima dan penguat isyarat satelit yang dibuat dengan cip indium phosphide boleh beroperasi pada frekuensi yang sangat tinggi melebihi 100 GHz, dengan lebar jalur lebar, gangguan luaran yang minimum dan kestabilan yang tinggi. Oleh itu, indium phosphide ialah bahan semikonduktor yang lebih maju daripada galium arsenide, yang berpotensi memacu industri komunikasi satelit untuk berkembang menjadi jalur frekuensi yang lebih tinggi.
Berbanding dengan gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP) menunjukkan kelebihan yang ketara dalam sifat elektrik dan fizikal lain, memegang kedudukan dominan dalam bidang komunikasi optik semikonduktor. Berbanding dengan GaAs, indium phosphide mempunyai kelebihan berikut: (1) Ia menawarkan halaju hanyutan puncak elektron yang tinggi, lebar celah jalur yang tinggi, dan kekonduksian terma yang tinggi. InP mempunyai jurang jalur peralihan terus sebanyak 1.34 eV, yang sepadan dengan panjang gelombang dengan kehilangan penghantaran paling sedikit dalam komunikasi optik; kekonduksian termanya lebih tinggi daripada GaAs, membawa kepada pelesapan haba yang lebih baik. (2) Indium phosphide lebih berfaedah daripada GaA dalam fabrikasi peranti. Peranti InP menampilkan nisbah puncak-ke-lembah semasa yang tinggi, menentukan kecekapan penukaran yang tinggi; Pemalar masa kelonggaran tenaga momentum InP adalah separuh daripada GaAs, yang membawa kepada had kecekapan kerja dua kali ganda berbanding peranti GaAs; Peranti InP mempunyai ciri hingar yang lebih baik. (3) Indium phosphide (InP) sebagai bahan substrat mempunyai aplikasi utama berikut: peranti optoelektronik, termasuk sumber cahaya (LED) dan pengesan (photodetector avalanche APD), terutamanya digunakan dalam sistem komunikasi gentian optik; laser bersepadu, pengesan foto dan penguat adalah komponen penting dalam litar bersepadu optoelektronik untuk sistem komunikasi 40 Gb/s generasi akan datang.
