인듐인화물

인듐 인화물(InP)은 인과 인듐의 화합물로, 뛰어난 반도체 특성으로 유명합니다. 인듐 인화물 기판을 사용하여 제조된 반도체 소자는 높은 포화 전자 드리프트 속도, 저손실 광섬유 통신에 적합한 방출 파장, 강력한 방사선 저항성, 우수한 열 전도성, 높은 광전 변환 효율 및 비교적 높은 밴드갭 폭을 나타냅니다. 결과적으로 인듐 인화물 기판은 광 모듈 소자, 센서 소자, 고급 무선 주파수 소자 등을 제조하는 데 널리 사용됩니다.

인듐 인화물(InP)은 높은 포화 전자 드리프트 속도, 강력한 방사선 저항성, 우수한 열 전도성, 높은 광전 변환 효율 및 높은 밴드갭 폭을 포함한 여러 장점을 가진 중요한 화합물 반도체 재료입니다. InP는 밴드갭이 1.34eV이고 실온에서 이동도가 3000~4500cm2/(VS)인 아연 블렌드 결정 구조를 가지고 있습니다. 광 통신, 고주파 밀리미터파 장치, 광전자 집적 회로 및 우주에서 사용되는 태양 전지에 널리 적용됩니다. 이러한 재료 특성을 감안할 때 인듐 인화물 기판으로 제조된 반도체 장치는 무선 주파수 장치, 광학 모듈, LED(미니 LED 및 마이크로 LED 포함), 레이저, 검출기, 센서 및 우주 태양 전지 생산에 광범위하게 사용됩니다. 5G 통신, 데이터 센터, 차세대 디스플레이, 인공 지능, 자율 주행, 웨어러블 장치 및 항공 우주와 같은 분야에서 광범위하게 응용됩니다.

인듐 인화물 반도체 소재는 넓은 밴드갭 구조를 특징으로 하며, 전자는 InP 소재를 통해 고속으로 이동합니다. 결과적으로 인듐 인화물 칩으로 만든 위성 신호 수신기 및 증폭기는 100GHz 이상의 매우 높은 주파수에서 작동할 수 있으며, 대역폭이 넓고 외부 간섭이 최소화되며 안정성이 높습니다. 따라서 인듐 인화물은 갈륨 비소화물보다 더 진보된 반도체 소재로, 위성 통신 산업이 더 높은 주파수 대역으로 발전하도록 이끌 가능성이 있습니다.

인듐 인화물(InP)은 갈륨 비소화물(GaAs)과 비교하여 전기적 및 기타 물리적 특성에서 탁월한 이점을 보여주며 반도체 광통신 분야에서 지배적인 위치를 차지하고 있습니다. GaAs와 비교하여 인듐 인화물은 다음과 같은 이점이 있습니다. (1) 높은 전자 피크 드리프트 속도, 높은 밴드갭 폭 및 높은 열 전도도를 제공합니다. InP는 1.34eV의 직접 전이 밴드갭을 가지고 있으며, 이는 광통신에서 가장 적은 전송 손실을 갖는 파장에 해당합니다. 열 전도도는 GaAs보다 높아 열 발산이 더 좋습니다. (2) 인듐 인화물은 장치 제조에서 GaAs보다 유리합니다. InP 장치는 높은 전류 피크-밸리 비율을 특징으로 하며, 높은 변환 효율을 결정합니다. InP의 운동량 에너지 완화 시간 상수는 GaAs의 절반으로 GaAs 장치의 두 배의 작업 효율 한계를 갖습니다. InP 장치는 더 나은 잡음 특성을 가지고 있습니다. (3) 기판 소재로서의 인듐인화물(InP)은 다음과 같은 주요 응용 분야를 갖습니다: 광섬유 통신 시스템에 주로 사용되는 광원(LED) 및 검출기(APD 눈사태 광검출기)를 포함한 광전자 소자; 집적 레이저, 광검출기 및 증폭기는 차세대 40Gb/s 통신 시스템을 위한 광전자 집적 회로의 필수 구성 요소입니다.