インジウム箔 は、チップ冷却や半導体パッケージングに広く使用されている高性能熱伝導材料です。ASTERは、純インジウム箔、インジウムスズ合金箔、インジウム銀合金箔、多層複合放熱パッド、コーティングインジウム箔など、多様なインジウム箔製品を提供しています。これらの製品は優れた熱伝導性を備えながら、インジウム自体の酸化や付着といった一般的な問題を効果的に解決します。また、長期にわたる耐久性と耐摩耗性も考慮して設計されています。
製品タイプ
特徴：
超高純度（99.99%以上）で、熱伝導性、延性に優れています。
用途:
非常に高い熱性能が求められるチップの冷却およびパッケージングのシナリオに最適です。
2. インジウムスズ合金箔
特徴：
インジウムとスズの両方の利点を組み合わせ、機械的強度と耐腐食性が向上します。
用途:
より高い機械的性能と耐久性が要求される冷却およびパッケージング環境に適しています。
3. インジウム銀合金箔
特徴：
インジウムと銀の合金で、優れた耐酸化性とともに、優れた電気伝導性と熱伝導性を備えています。
用途:
特に高精度と高信頼性が求められる高性能チップの冷却とパッケージング向けに設計されています。
4. 多層複合サーマルパッド
特徴：
複数の層状材料を組み合わせ、それぞれの長所を融合させた構造。優れた熱伝導性と堅牢な機械特性を備えています。
用途:
チップ パッケージングにおける複雑な熱管理要件に最適で、熱抵抗を効果的に低減し、放熱効率を向上させます。
5. コーティングされたインジウム箔
特徴：
表面に保護膜をコーティングすることで酸化を防ぎ、耐摩耗性・耐腐食性も向上します。
用途:
表面保護が重要な冷却および梱包用途に適しており、製品の寿命を延ばします。
- フォームファクタの分類
- 1. 平らなインジウム箔
特徴：
広い面積の冷却および梱包要件に適した、滑らかで平らな表面。
用途:
チップ底部の放熱や半導体パッケージ全般に広く使用されています。
2. ドットインジウム箔
特徴：
表面にドット状のパターンを施し、接触面積を増やして放熱効率を高めます。
用途:
局所的な熱管理を必要とするチップ パッケージング シナリオに最適です。
特徴：
表面はメッシュ状の組織になっており、密着を防ぎながら有効放熱面積を増やします。
用途:
非粘着性と向上した熱性能を必要とする用途に適しています。
主なパフォーマンス上の利点
1. 抗酸化作用
解決：
表面コーティングと合金化処理により酸化を効果的に防止し、インジウム箔の優れた熱伝導性を維持します。
2. 癒着防止
解決：
メッシュ表面設計と合金化技術により、使用中にインジウム箔が固着するのを防ぎ、信頼性の高い冷却およびパッケージング性能を保証します。
3. 耐摩耗性
解決：
保護コーティングと多層複合構造により、耐摩耗性と耐腐食性が向上し、製品寿命が延びます。
4. 高効率放熱
特徴：
高い熱伝導率（81～86 W/(m·K)）により、熱源からの急速な熱伝達が可能になり、熱界面抵抗が効果的に低減され、冷却効率が向上します。
5. 優れた適応性
特徴：
インジウム箔は優れた延性と展性を備えており、様々な形状やサイズに成形可能です。様々な熱伝導インターフェースのニーズに合わせて加工・設置が容易です。
結論
Asterは、多様なチップ冷却およびパッケージング要件を満たす包括的なインジウム箔製品を提供しています。高度な合金化技術と巧みな表面設計により、当社のインジウム箔は優れた熱性能を発揮するとともに、酸化や接着といった課題に効果的に対処します。また、長期的な耐久性も実現しています。
高性能コンピューティング チップ、5G 通信チップ、その他の高精度半導体アプリケーションのいずれであっても、Aster のインジウム箔ソリューションは、信頼性の高い熱管理とパッケージング パフォーマンスを保証します。